高導熱基片新型材料---氮化硅陶瓷基片

氮化硅陶瓷基片具有成為高導熱基片的潛力，其各種性能也非常強，下面有三種陶瓷基板材料的性能對比，對比可以看出氮化硅陶瓷的一些優(yōu)勢，科眾陶瓷廠帶大家一起了解下氮化硅陶瓷基片安吧。

氮化硅陶瓷具有硬度大、強度高、熱膨脹系數(shù)小、高溫蠕變小、抗氧化性能好、熱腐蝕性能好、摩擦系數(shù)小等諸多優(yōu)異性能，是綜合性能最好的結構陶瓷材料。單晶氮化硅的理論熱導率可達400w/(m·K)，具有成為高導熱基片的潛力。

此外，氮化硅的線膨脹系數(shù)與Si、SiC和GaAs等半導體材料匹配良好，這使氮化硅陶瓷成為一種極具有吸引力的高強高導熱電子器件基板材料。氮化硅、氮化鋁及氧化鋁陶瓷的力學性能對比見下表。

?可靠性測試指的在-40~+150℃條件下循環(huán)，材料不發(fā)生破壞的次數(shù)。

隨著電動力汽車的流行，氮化硅陶瓷基片也將迎來發(fā)展機遇

帶孔陶瓷基片

氮化硅陶瓷力學性能與熱學性能與高功率電子基板材料的要求完美貼合。Si3N4陶瓷基片材料在未來的廣闊的市場前景，引起了國際陶瓷企業(yè)的高度重視。而目前全球真正將Si3N4陶瓷基片用于實際生產(chǎn)電子器件的只有東芝、京瓷和羅杰斯等少數(shù)公司。商用Si3N4陶瓷基片的熱導率一般在56~90w/(m·K)。以日本東芝公司為例，截止2016年已占領了全球70%的氮化硅基片市場份額，據(jù)報道其Si3N4陶瓷基片產(chǎn)品已用于混合動力汽車/純電動汽車(HEV/EV)市場領域。